第4回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会
主催: 応用物理学会・薄膜表面物理分科会
共催: 日本物理学会
協賛: 日本表面科学会、原子衝突研究協会
日時: 平成15年12月19日(金) 〜 12月20日(土)
場所: 理化学研究所・統合支援施設2階大会議室
内容: 低・中・高エネルギーイオン散乱による固体表面・界面の分析と
イオンビームと固体表面との相互作用。
世話人:山崎泰規(東大・理研)(代表)
吉本 護(東工大)
小林 峰(理研)
森田健治(名城大)
木村健治(京大)
金子敏明(岡山理大)
越川孝範(大阪電通大)
福谷克之(東大)
参加費:無料
プログラム
12月19日(金)
13:00
山崎泰規 (東大院総合・理研)
開会の辞
13:00-13:30*
住友弘二、Zhaohui Zhang、中村淳、尾身博雄、荻野俊郎(NTT物性基礎研)、
名取晃子(電通大)
MEISとSTMによる表面応力・歪の異方性の観察
13:30-13:50
鈴木涼,Markus Wilde,松本益明,福谷克之(東大生産研)
Y超薄膜の水素化と脱水素化
13:50-14:10
土屋 文、永田 晋二、大津 直史、藤 健太郎、四竃 樹男(東北大金研),
森田 健治(名城大)
黒鉛にイオン注入された水素同位体の高エネルギーイオン衝撃脱捕獲
14:10-14:40*
片山光浩(阪大工)
In Situ Analysis of Surface and Subsurface by CAICISS
14:40-15:00
作田寛明, 中田征志, 山中良友, 河野裕, 岩田史郎, 倉井聡, 田口常正(山口大工)
高分解能ラザフォード後方散乱によるInGaN極薄膜中Inの熱拡散挙動の調査
15:00-15:20
森田健治(名城大理工)、Elena Gridneva(モスクワ物理工大)
keV He+イオンの絶縁体標的からの後方散乱イオン収率
15:20-15:50 coffee break
15:50-16:20*
松尾二郎、瀬木利夫、青木学窓(京大工、量子理工学セ)
クラスター衝突現象の特異性とそのナノプロセッシングへの応用
16:20-16:40
星野靖、松本紳吾、城戸義明(立命館大理工)
6H-SiC(0001)- √3×√3表面上における極薄Ni膜のエピタキシャル成長
16:40-17:10*
東俊行,田沼肇,奥野和彦,小林信夫,城丸春夫(都立大理)渡辺郁男 (東芝)
液体窒素冷却型都立大静電リングの現状と実験計画
17:10-17:30
菅 武、安江常夫、越川孝範(大阪電通大エレ研)
低エネルギーイオンの中性化率の角度依存性
17:30-17:50
Gero Herrmann (電通大物理),岡田美智雄(阪大理),村田好正(東大生研)
Pt(111)表面で散乱するhyperthermal イオンのエネルギー分布
17:50-18:10
岩村康弘、伊藤岳彦、坂野充、坂井智嗣、栗林志頭真(三菱重工先進研)
重水素透過によるPd多層膜上での元素変換の観測
18:20-20:00 懇親会 (広沢クラブ南会議室)
12月20日(土)午前
9:00-9:30*
加藤政彦(名大工)、左右田龍太郎(物材機構)
絶縁体における低速水素イオンの電子励起とフォノン励起
9:30-9:50
本橋健次、鶴淵誠二、纐纈明伯(東京農工大工)
低エネルギー多価イオン衝突によるSiC(0001)表面からの2次イオン放出過程
9:50-10:20*
中嶋 薫、羽野仁彦、城森慎司、鈴木基史、木村健二(京大)
高分解能RBS/channelingを用いた表面・界面近傍の格子ひずみ測定
10:20-10:40
海堀 裕二、根引 拓也、成沢 忠(高知工科大)
チャネリングRBS/PIXE分析による希薄磁性半導体の結晶評価
10:40-11:00 coffee break
11:00-11:30*
岩木正哉(理研)
イオンビームを利用したイオン注入表層の解析
11:30-11:50
岡沢哲晃、中川佳則、城戸義明(立命館大理工)
NiO(001)表面構造と格子ダイナミクスの温度依存性
11:50-12:10
小林峰、霜田進(理研)
3D-MEISの開発
12:10-12:30
根引 拓也,海堀 裕二,成沢 忠(高知工科大工)
ガラスキャピラリーによるMeVイオンビームの収束
12:30-12:50
西垣 敏、内野直喜、藤脇英和、山田健二$、渡邉晃彦、内藤正路(九工大工,石川高専$)
準安定原子脱励起スペクトルのHe*原子入射速度依存性
*印は招待講演
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